A股三大指數早盤集體上漲，截至午間收盤，滬指漲0.84%報4116.77點，深成指漲1.67%，創業板指漲2.43%，北證50指數漲1.08%。滬深京三市半日成交額15617億元，較上日縮量931億元，全市場超4500只個股上漲。
半導體板塊走強，科創芯片設計領漲，科創芯片設計ETF易方達、科創芯片設計ETF廣發、科創芯片設計ETF漲超3%，科創芯片設計ETF天弘、科創芯片設計ETF鵬華漲超2%。
科創芯片設計ETF跟蹤上證科創板芯片設計主題指數，囊括50家科創板芯片龍頭企業，其中數字芯片設計佔比77.1%，模擬芯片設計佔比17.2%，權重股包括海光信息、瀾起科技、寒武紀-U、東芯股份、佰維存儲等龍頭公司。
消息面上，存儲芯片價格繼續大漲，三星電子一季度DRAM價格漲幅最終敲定在100%以上，較一個月前談判的70%水平再度擴大約30個百分點。SK海力士與美光跟進同等漲幅，漲勢預計延續至二季度。
部分公司發佈業績預告。佰維存儲日前公告稱，預計2026年1-2月實現營業收入40億元-45億元，同比增長340%-395%；歸屬於上市公司股東的淨利潤為15億元-18億元，同比扭虧為盈。 另外，據TrendForce最新調查，2025年第四季全球NAND閃存前五大品牌廠商營收合計大幅季增23.8%，達211.7億美元。展望2026年第一季，TrendForce已將整體NAND閃存價格預估上調至季增85%至90%，營收水平有望再度成長。
沐曦股份公告稱，預計2026年第一季度歸屬於上市公司股東的淨利潤虧損9075.72萬元至1.82億元，同比虧損收窄。報告期內，公司在堅持技術創新驅動、持續加大研發投入的同時，深化市場開拓，穩步提升在高性能GPU領域的市場地位與行業影響力，積極推進人工智能技術與各行業深度融合。受益於人工智能產業的高速發展，依託優異的產品性能與完善的軟件生態，公司產品與服務獲得下游客户廣泛認可，業務規模較上年同期實現顯著增長。
東吳證券指出，看好存儲&先進邏輯擴產，設備商國產化迎新機遇：
AI驅動先進邏輯與存儲擴產，資本開支進入新一輪上行週期。在AI算力需求爆發背景下，全球半導體設備市場規模持續創新高。先進邏輯端，FinFET向GAA/CFET演進，5nm及以下製程單位產能設備投資額顯著提升，單萬片/月產能投資額較28nm提升數倍；存儲端，HBM帶動DRAM高階製程升級，3DNAND向400層以上堆疊演進，單萬片產能投資額同步提升。中國大陸晶圓產能全球佔比仍低於銷售佔比，邏輯與存儲龍頭資本開支維持高位，疊加兩大存儲廠商上市融資在即，擴產動能具備持續性，支撐前道設備景氣度中長期上行。
製程迭代推動設備結構升級，刻蝕與薄膜沉積價值量提升。先進製程結構複雜化帶動圖形化環節投資強度提升。邏輯端GAA結構、存儲端高層數3D堆疊，對高深寬比刻蝕（HAR）、高選擇比刻蝕（ALE）以及ALD等原子級沉積技術提出更高要求。刻蝕與薄膜沉積在前道設備中的價值佔比位居前三，且隨製程演進呈提升趨勢。多重曝光、先進金屬材料替代及新型結構引入，使設備數量與工藝複雜度同步提升，設備投資呈現“技術節點越先進、單位投資越高”的乘數效應，核心平台型設備商與細分龍頭有望持續受益。
外部制裁強化自主可控邏輯，國產替代進入加速階段。美國、荷蘭、日本持續強化對14nm及以下先進製程設備出口限制，中國大陸作為全球最大設備需求市場，進口依賴度較高的塗膠顯影、清洗、量檢測、光刻等環節國產化率仍低於25%。在政策支持與大基金三期落地背景下，國內晶圓廠擴產將更加傾向國產設備採購。測算顯示半導體設備整體國產化率已由2017年的13%提升至2024年的20%，預計2025年達22%，仍具備廣闊提升空間。平台型廠商覆蓋面擴大、技術持續突破，將在先進製程與先進封裝領域獲得更大份額。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯