智通財經APP獲悉,三星(SSNLF.US) 對有關英偉達(NVDA.US) 測試其高帶寬存儲芯片(HBM)的媒體報道再度做出了迴應,表示測試正在“按計劃”進行。
三星的一名發言人通過電子郵件表示:“三星電子正在通過與各客户的密切合作優化我們的產品,並按計劃進行測試。”
上週有報道稱,英偉達已批准三星的8層HBM3E芯片用於其人工智能處理器。但隨後三星迴應稱,這和事實相距甚遠,“我們不能證實與我們客户相關的傳聞,但這個報道不是真的”。
HBM是一種動態隨機存取存儲器(DRAM)標準,通過垂直堆疊芯片以節省空間和降低能耗,是人工智能GPU的關鍵組件,有助於處理複雜應用程序產生的大量數據。
HBM3是目前新一代人工智能GPU中最常用的第四代HBM技術標準,HBM3E芯片則使用第五代HBM標準。全球HBM芯片市場由SK海力士、三星主導,其次是美國芯片製造商美光科技(MU.US) 。
上個月,英偉達首席執行官黃仁勛表示,該公司正在評估美光和三星的HBM芯片,以確定它們是否能與SK海力士競爭。
(美股為即時串流報價; OTC市場股票除外,資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 智通財經