9月11日|德國芯片製造商英飛凌(Infineon)公佈,已開發全球首款12吋氮化鎵(GaN)晶圓技術,以滿足高耗能人工智能數據中心及電動車對功率半導體快速增長的需求。公司表示,首批予客户的試用樣板將會在明年第四季推出,並指使用更大的氮化鎵晶圓進行芯片生產將更有效率。