10月7日|台積電(TSM.US) 漲超1.7%,報184.3美元。消息面上,台積電在2nm製程節點上取得了重大突破,將首次引入Gate-all-around FETs晶體管技術。相較於當前的N3E工藝,N2工藝預計將在相同功率下實現10%至15%的性能提升,或在相同頻率下將功耗降低25%至30%。據悉,台積電每片300mm的2nm晶圓的價格可能超過3萬美元,高於之前預期的2.5萬美元。相比之下,目前3nm晶圓的價格大概在1.85萬至2萬美元,而4/5nm晶圓的價格在1.5到1.6萬美元之間。
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