5月23日|據澎湃,日前,美國存儲芯片廠商美光CEO桑傑·馬羅特拉(Sanjay Mehrotra)接受外媒採訪時發出預警,稱當前全球內存短缺可能延續至2026年之後,而行業真正意義上的大規模新產能釋放,至少要等到2028年。“廠房基礎建設是目前週期最長、挑戰最大的環節,土建完成後,設備入場、安裝調試同樣需要漫長週期。”馬羅特拉在弗吉尼亞州馬納薩斯工廠接受採訪時坦言。該工廠剛剛啟動了全美首個“1-alpha”工藝節點DRAM量產,這也是美光將先進內存製造迴流本土的關鍵一步。
由於全球存儲芯片緊缺,美光正在進行大規模擴產。根據之前美光披露的計劃,美光將在愛達荷州博伊西建設兩座先進晶圓廠,首座預計明年年中產出首批晶圓,第二座則要到2028年底;在紐約州錫拉丘茲規劃多達四座晶圓廠的生產集羣。整體而言,美光計劃在全美投資高達2000億美元,目標是將本土產量佔全球總產量的比重從當前的約10%提升至40%。
新聞來源 (不包括新聞圖片): 格隆匯