三名知情人士透露，美國記憶體晶片大廠美光科技 (MU.US) 即將宣布在新加坡投資新的記憶體晶片製造產能，藉此擴大產線規模，以因應全球日益嚴峻的記憶體短缺問題。
根據《路透》報導，知情人士指出，美光最快將於週二（27 日）對外公布這項投資計畫，其中一人透露，投資重點將鎖定 NAND 快閃記憶體。
這項投資宣布之際，正值消費性電子、人工智慧（AI）服務供應商等產業，因競相建置 AI 基礎設施而面臨各類記憶體晶片供不應求的關鍵時刻。
美光目前在新加坡擁有規模龐大的製造基地，約有 98% 的快閃記憶體產品在當地生產，是其全球最重要的記憶體製造重鎮之一。
此外，美光也正於新加坡興建一座投資金額高達 70 億美元的高頻寬記憶體（HBM）先進封裝廠，該設施主要用於 AI 晶片相關應用，預計將於 2027 年正式投產。
不僅美光積極擴產，南韓兩大記憶體製造商三星電子與 SK 海力士近期也相繼宣布新增產線，並提前啟動生產時程，顯示全球記憶體產業正全面進入擴產階段。
然而，分析師指出，即使主要廠商同步擴充產能，全球記憶體供應吃緊的狀況仍可能延續至 2027 年下半年。
上週，美光也透露，正與力積電 (6770-TW) 洽談，以 18 億美元現金收購其一座晶圓廠，藉此提升 DRAM 記憶體晶圓的產出能力。
SK 海力士則於本月向《路透》表示，計畫將一座新工廠的啟用時程提前三個月，並於今年 2 月開始營運另一座新廠。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網