三星電子在高頻寬記憶體 (HBM) 領域最新進展，正牽動相關族群股價表現，美光 (MU.US) 股價週一 (26 日) 走弱近 3%。
三星自去年 9 月向輝達提供首批 HBM4 樣品後，雙方合作進度持續推進，多家外媒週一報導，三星電子已進入輝達最新一代 HBM4 晶片的最終認證階段。
三星目前規畫於 2 月啟動量產，並可望在不久後開始出貨，實際時程仍有待確認。
此消息激勵三星股價週一在首爾股市一度上漲約 3%，但隨後漲幅收斂；競爭對手 SK 海力士股價則承壓走低。
美光 (MU.US) 股價週一 (26 日) 走弱 2.64% 至每股 389.09 美元。輝達 (NVDA.US) 收黑 0.64% 至每股 186.47 美元。
市場解讀，若三星順利取得輝達認證並率先出貨，將有助其在目前由 SK 海力士主導的高頻寬記憶體市場中擴大影響力，同時也可能改變美光在人工智慧加速器記憶體供應鏈中的競爭狀態。
然而，瑞穗證券 TMT 分析師 Jordan Klein 指出，三星的進展並不代表其他業者的機會將被排擠。他強調，向輝達或 AMD 供應 HBM4 並非零和競爭，因市場需求明顯高於供給，且 HBM4 的價格水準可望高於 HBM3e。今年內，三大記憶體供應商皆有機會通過認證並開始向輝達出貨。
Klein 也表示，輝達下一代 Rubin 伺服器平台仍依既定進度推進，預計於年中展開初期出貨，並在第三、第四季逐步放量。
三星和 SK 海力士均將於 1 月 29 日公布 2025 年第四季財報，屆時兩家公司預計將透露有關 HBM4 訂單的詳細資訊。
(美股為即時串流報價； OTC市場股票除外，資料延遲最少15分鐘。)新聞來源 (不包括新聞圖片): 鉅亨網