内媒报道,台积电(TSM.US) 於IEEE国际电子器件会议(IEDM)上披露更多2纳米(N1)制程技术的细节。N2制程在性能上较前代制程提升15%,功耗降低高达30%,能效显着提升。
此外,得益於环绕式栅极(GAA)纳米片晶体管和N2 NanoFlex技术的应用,晶体管密度也提高1.15倍。N2 NanoFlex技术允许制造商在最小的面积内集成不同的逻辑单元,进一步优化制程的性能。
据悉,N2制程晶圆的价格将比3纳米制程高出10%以上。(jl/k)(美股为即时串流报价; OTC市场股票除外,资料延迟最少15分钟。)
AASTOCKS新闻